PECVD

열화학 반응으로 고체로 합성하는 것이 가장 보편화된 의미의 CVD이고, 이중 공정의 저온화를 이루기 위해 화학 반응을 플라즈마에 의해 여기시키는 것이 PECVD
(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)이다. PECVD는 보통 저온 플라즈마를 이용한다.
저온 플라즈마 내에 가령 SiH₄분자가 존재한다면 고속전자와의 충돌에 의해 분해되어 SiHx등의 라디칼이 발생되고 a-Si: H 막이 형성된다. PECVD는 플라즈마의 특성상 온도와 무관하게 비선택적으로 분자를 분해시키며 활성화되는데, 이 비 선택성은 thermal CVD에서 하나이상의 원료를 사용할 때 원료에 따라 반응 온도가 차이가 나서 원하는 조성을 생성물을 얻기가 힘든 경우가 비교하면 PECVD의 큰 장점이라 할 수 있다.

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• PECVD system is possible to make the processes with high density plasma up to 400 mm x
  500 mm substrate. It has various applications; Diamond Like Carbon (DLC) for optical filters
  and dielectric films for anti-reflective coatings, as well as etching processes with oxygen or
  halogen chemistry for the structuring of semiconductors and metals.

  Specification	Plasma source : Shower head type shower head size : ~ Ø700 Substrate size: up to 400mm x 500mm Substrate holder : water cooled, RF Bias Base pressure : process chamber ≤ low x 10-6 torr Software interfaces : HMI programing base GUI software
  Application	Growth of nano-crystalline diamond and carbon nanotubes Dielectric films (SiO₂, Si₃N₄, a:Si, DLC), for optical filters and anti-reflective coatings ZnO as transparent conducting oxide (TCO) for optoelectronics